赛宝动态

由工业和信息化部电子第五研究所（以下简称电子五所）元器件可靠性国家级重点实验室牵头编制，行业专业单位参与，经中国电子学会批准，《复杂组件封装关键结构寿命评价方法》、《半导体器件可靠性强化试验方法》、《辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法》等7项标准于2022年12月31日正式发布，于2023年1月31日正式实施。

       此次发布的7项标准，主要面向各类重要和新型半导体器件，针对产品质量可靠性方面的测试和试验技术标准化的需求，总结科研和技术开发的成果，形成电子学会团体标准，以期为相关产品的质量可靠性工作提供支撑。各标准的内容简要介绍如下：

1、T/CIE 143—2022《复杂组件封装关键结构寿命评价方法》

规定了复杂组件封装关键结构寿命评价方法，包括芯片凸点、芯片底填胶、键合丝、板级互连等关键封装结构的应力分析和综合可靠性评价，适用于封装结构薄弱环节分析和可靠性仿真评价。起草单位：电子五所、中国电科58所、中科院微电子所等。主要起草人：陈思、薛海红、周斌等。

2、T/CIE 144—2022《半导体器件可靠性强化试验方法》

规定了半导体器件可靠性强化试验方法及半导体元器件强化试验的一般步骤、相关要求、方法及参数监测等。适用于半导体分立器件、集成电路、微波器件的可靠性强化试验指导。适用于研制单位和用户采取改进措施来消除缺陷，提升产品可靠性。起草单位：电子五所、航空工业第一飞机设计研究院。主要起草人：杨少华、颜佳辉、薛海红等。

3、T/CIE 145—2022《辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法》

规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱测试辐射诱生缺陷的方法和程序，适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。起草单位：电子五所、哈尔滨工业大学。主要起草人：彭超、雷志锋、何玉娟等。

4、T/CIE 146—2022《微机电（MEMS）器件晶圆键合试验评价方法》

规定了对MEMS器件晶圆键合开展试验评价的方法和程序，适用于基于晶圆键合工艺加工的MEMS器件，包括MEMS器件成品结构、晶圆键合工艺过程结构等。起草单位：电子五所、北京大学、中国兵器工业第二一四研究所。主要起草人：董显山、来萍、韦覃如等。

5、T/CIE 147—2022《空间行波管加速寿命试验评估技术规范》规定了空间行波管加速寿命试验及基于此试验的寿命评估技术规范，适用于空间行波管的寿命评估以期推进空间行波管的研究与发展。起草单位：电子五所、电子科技大学。主要起草人：宋芳芳、王铁羊、宫玉彬等。

6、T/CIE 148—2022《阻变存储单元电学测试规范》

规定了阻变存储单元擦写、耐久性和数据保持等测试方法，其结果用于表征阻变存储器的电学特性，适用于阻变存储器器件的测试，用于测试器件单元特性，不适用于包含外部驱动电路的存储单元。本标准通过将阻变存储单元的测试标准化，以推进阻变存储器产业的发展。起草单位：电子五所、广东工业大学、中国科学院微电子研究所等。主要起草人：雷登云、韦覃如、张峰锋等。

7、T/CIE 150—2022《现场可编程门阵列（FPGA）芯片时序可靠性测试规范》

规定了FPGA芯片时序可靠性测试，包含了硬核IP、接口IP、互联等模块的时序可靠性评估方法，用以保障FPGA满足预定用途所需的时序稳定性要求。起草单位：电子五所、黄河科技学院、广东工业大学等。主要起草人：雷登云、余永涛、杨东等。